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| 规格书 |
 EC3A04B |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电流 - 漏（IDSS），VDS（VGS = 0） | 1.2mA @ 10V |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 漏电流（ID） - 最大 | 10mA |
| FET 型 | N-Channel |
| - 击穿电压（V（BR）的GSS） | - |
| - 截止电压（VGS的关闭）@ ID | 180mV @ 1µA |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4pF @ 10V |
| 电阻 - RDS（ON） | 200 Ohm |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包/盒 | 3-XFDFN |
| 供应商器件封装 | 3-ECSP1006 |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 供应商封装形式 | ECSP |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 配置 | Single |
| 包装高度 | 0.48 |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 100 |
| 最大漏极栅极电压 | -30 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 包装宽度 | 1 |
| 最大连续漏极电流 | 10 |
| PCB | 3 |
| 包装长度 | 0.6 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 引脚数 | 3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 1.2mA @ 10V |
| 电阻 - RDS（ON） | 200 Ohm |
| 供应商设备封装 | 3-ECSP1006 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 180mV @ 1µA |
| 漏极电流（Id ） - 最大 | 10mA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 标准包装 | 8,000 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4pF @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源电压VDS | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | - 30 V |
| 连续漏极电流 | 10 mA |
| 正向跨导 - 闵 | 3 mS to 5 mS |
| RDS（ON） | 200 Ohms |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 3 mA |
| 栅源截止电压 | - 0.65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 10 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 200 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
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